Перегляд за автором "Конакова, Р.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Автоэмиссионные свойства острийных катодов на основе пленок графена на SiC 
    Конакова, Р.В.; Охрименко, О.Б.; Коломыс, А.Ф.; Стрельчук, В.В.; Светличный, А.М.; Агеев, О.А.; Волков, Е.Ю.; Коломийцев, А.С.; Житяев, И.Л.; Спиридонов, О.Б. (Сверхтвердые материалы, 2016)
    Рассмотрены электрические свойства низкопороговых автоэмиссионных катодов, сформированных путем выращивания нанокластерных пленок графена на острийной поверхности сильнолегированного n+SiC методом сублимационной эпитаксии. ...
  • Влияние СВЧ-облучения на спектры фотолюминесценции монокристаллов CdTe: Cl при Т = 2k 
    Будзуляк, С.И.; Вахняк, Н.Д.; Демчина, Л.А.; Корбутяк, Д.В.; Конакова, Р.В.; Лоцько, А.П.; Охрименко, О.Б.; Редько, Р.А.; Березовская, Н.И.; Быков, Ю.В.; Егоров, С.В.; Еремеев, А.Г. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2016)
    Проведенные исследования спектров низкотемпературной (Т = 2 K) фотолюминесценции (ФЛ) монокристаллов CdTe: Cl в зависимости от дозы СВЧ-облучения (частота 24 ГГц) показали, что при длительности облучения до t = 10 c ...
  • Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах 
    Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Раевская, Н.С.; Беляев, А.Е.; Бобыль, А.В.; Конакова, Р.В.; Кудрик, Я.Я.; Миленин, В.В.; Новицкий, С.В.; Шеремет В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.
  • Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со 
    Ильин, И.Ю.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Ренгевич, А.Е.; Соловьев, Е.А.; Приходенко, В.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2001)
    До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) ...
  • Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах 
    Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм ...
  • Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) 
    Саченко, А.В.; Беляев, А.Е.; Болтовец, Н.С.; Конакова, Р.В.; Шеремет, В.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического ...
  • Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения 
    Будзуляк, С.И.; Корбутяк, Д.В.; Лоцько, А.П.; Вахняк, Н.Д.; Калитчук, С.М.; Демчина, Л.А.; Конакова, Р.В.; Шинкаренко, В.В.; Мельничук, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением ...
  • Оценка автоэмиссионных свойств наноструктур на основе карбида кремния и графена 
    Охрименко, О.Б.; Конакова, Р.В.; Светличный, А.М.; Спиридонов, О.Б.; Волков, Е.Ю. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2012)
    Выполнена оценка автоэмиссионных свойств катода, представляющего собой структуру, изготовленную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой плёнкой графена. Рассчитаны вольт-амперные характеристики для катодного ...
  • Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники 
    Конакова, Р.В.; Колядина, Е.Ю.; Матвеева, Л.А; Нелюба, П.Л.; Шинкаренко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Исследовано влияние типа металлизации и микроволнового облучения на свойства омических контактов к гетеро-структурам, содержащим фуллерены. Выявлено преимущество титановой металлизации перед золотой.